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Electrical Specifications
Table 2.3 DC Characteristics
MR4A08B
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output low voltage
(I OL = +4 mA)
(I OL = +100 μA)
Output high voltage
(I OL = -4 mA)
(I OL = -100 μA)
Symbol
I lkg(I)
I lkg(O)
V OL
V OH
Min
-
-
-
2.4
V DD - 0.2
Typical
-
-
-
-
Max
±1
±1
0.4
V SS + 0.2
-
Unit
μA
μA
V
V
Table 2.4 Power Supply Characteristics
Parameter
AC active supply current - read modes 1
(I OUT = 0 mA, V DD = max)
AC active supply current - write modes 1
(V DD = max)
AC standby current
(V DD = max, E = V IH )
no other restrictions on other inputs
CMOS standby current
(E ≥ V DD - 0.2 V and V In ≤ V SS + 0.2 V or ≥ V DD - 0.2 V)
(V DD = max, f = 0 MHz)
Symbol
I DDR
I DDW
I SB1
I SB2
Typical
60
152
9
5
Max
68
180
14
9
Unit
mA
mA
mA
mA
1
All active current measurements are measured with one address transition per cycle and at minimum cycle time.
Copyright ? Everspin Technologies 2013
6
MR4A08B Rev. 6 9/2013
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MR4A08BMYS35 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns pre-qual sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR4A08BMYS35R 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns pre-qual sample MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
MR4A08BYS35 功能描述:NVRAM 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
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MR4A16ACTS35C 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:256K x 16-Bit 3.3-V Asynchronous Magnetoresistive RAM
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